메모리 시스템의 이해
* 메모리 계층
* 주 기억장치
* 보조기억장치
메모리 계층
* 기억장치는 CPU에 의하여 시행될 프로그램이 저장되는 곳으로 이는 주 기억장치(Main memory unit)와 보조기억장치(Auxiliary memory unit) 그리고 캐쉬 메모리(Cache memory)로 분류 된다
* 주 기억장치 (Main memory unit)
- 마더보드(Motherboard)에 장착됨 - RAM(Random Access Memory)
> 비교적 대용량, 고속의 속도를 지님, 휘발성 성질을 지닌다
- ROM(Read Only Memory)도 주 기억장치의 일종
* 캐쉬 메모리 (Cache memory, buffer)
- 주기억장치 접근 시간 > 프로세스 논리회로 => MMS & CPU 배치함
- 현재 진행되고 는 프로그램의 일부 또는 사용빈도가 높은 임시 데이터 저장
* 보조 기억장치 (Auxiliary memory unit)
- 비교적 저속, 대용량의 자료 보관이 가능하다
- 보조기억장치내 자료는 필요한 경우 주 기억장치로 옮겨져야(Loading) 한다
- Magnetic Tape, USB, SD card : 필요한 파일의 생성 및 삭제가 가능
- Magnetic drum, disk : back up 저장 장치
- 코어(core) 메모리, magnetic bubble, CCD(Charge coupled device) 등의 대용량 저장 장치
* 왜 메모리를 계층별로 나누어서 사용할까? - 입출력의 경제성 때문이다
주 기억장치
* 주 기억장치 (Main memory unit)의 종류
- RAM (Random Access Memory)
> SRAM (Static RAM)
- 전원이 연결되어 있는 동안 정보 유지(Flip-Flop으로 구성)
- 사용이 편리하고, 읽기와 쓰기 시간이 짧다 (cache 기억장치)
> DRAM (Dynamic RAM)
- 주기적으로 재충전 해 주어야 정보가 유지
- 전력 소비가 적고, 하나의 칩으로 대량의 정보를 저장할 수 있다
- ROM (Read Only Memory)
> 부트 스트랩 로더 (bootstrap loader)
> 전원의 on/off와 무관하게 작동되기 때문에 불변하는 상수의 표 등이 저장
* 하나의 메인보드에 디자인 된 ROM과 RAM
* RAM의 동작 원리
보조기억장치
* 보조 기억장치 (Auxiliary memory unit)의 주요 특성
- 접근 시간 : 메모리내의 기억장소에 도달하여 그 내용을 얻는데 요구되는 평균시간 의미한다
> 시크 타임 (Seek time) : read/write head가 지정된 기억장소에 도달하는데 소요되는 시간
> 트랜스퍼 타임 (Transfer time) : 추출된 데이터를 장치내 또는 장치 밖 필요한 곳으로 전송하는데 요구되는 시간
> 레코드 (record) : 일반적으로 데이터가 기록되는 단위, 시크 타임을 체크하게 되는 기준 (일정한 길이의 수치 또는 문자 집합)
> 전송률 : 장치가 레코드의 시작점에 위치한 다음 단위 시간 당 (보통 분, minute) 전송 할 수 있는 문자나 위드의 수
* 보조 기억장치 (Auxiliary memory unit)의 주요 특성
출처 : 제로베이스
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